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APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Solo per riferimento

Numero parte APT70GR120JD60
PNEDA Part # APT70GR120JD60
Descrizione IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.930
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT70GR120JD60 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT70GR120JD60
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT70GR120JD60 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)112A
Potenza - Max543W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 70A
Corrente - Taglio collettore (Max)1.1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce7.26nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

750A

Potenza - Max

14500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 750A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

205nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

DF1000R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

6250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35A

Potenza - Max

145W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 15A

Corrente - Taglio collettore (Max)

76µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

2PS18012E44G40113NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

PrimeSTACK™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2560A

Potenza - Max

5600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 60°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGLQ75H120TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Potenza - Max

385W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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