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APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Solo per riferimento

Numero parte APT64GA90B2D30
PNEDA Part # APT64GA90B2D30
Descrizione IGBT 900V 117A 500W TO-247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.004
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT64GA90B2D30 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT64GA90B2D30
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT64GA90B2D30 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 8™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)900V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)117A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)193A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 38A
Potenza - Max500W
Switching Energy1192µJ (on), 1088µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge162nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C18ns/131ns
Condizione di test600V, 38A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Potenza - Max

62.5W

Switching Energy

456µJ (on), 411µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

226nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

52ns/208ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

STGB3NB60SDT4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 3A

Potenza - Max

70W

Switching Energy

1.15mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

18nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

125ns/3.4µs

Condizione di test

480V, 3A, 1kOhm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

1.7µs

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

1.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/160ns

Condizione di test

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

360ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 8A

Potenza - Max

99W

Switching Energy

70µJ (on), 145µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/95ns

Condizione di test

400V, 8A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Tempo di recupero inverso (trr)

76ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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