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APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Solo per riferimento

Numero parte APT45GR65BSCD10
PNEDA Part # APT45GR65BSCD10
Descrizione INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.086
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT45GR65BSCD10 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT45GR65BSCD10
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT45GR65BSCD10 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)118A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)224A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 45A
Potenza - Max543W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge203nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C15ns/100ns
Condizione di test433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)80ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

66A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

152A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 39A

Potenza - Max

140W

Switching Energy

4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

125nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/250ns

Condizione di test

480V, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

APT13GP120BDQ1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

41A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 13A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

115µJ (on), 165µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

55nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

9ns/28ns

Condizione di test

600V, 13A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

RJH60D5BDPQ-E0#T2

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 37A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

400µJ (on), 810µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

78nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/130ns

Condizione di test

300V, 37A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Produttore

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

230W

Switching Energy

430µJ (on), 650µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

30nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/80ns

Condizione di test

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

34ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AA

IXGR32N60C

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 32A

Potenza - Max

140W

Switching Energy

320µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

110nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/85ns

Condizione di test

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

Venduto di recente

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Broadcom

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SHT21

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Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 3V I2C 2% SMD

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STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V D2PAK

IHLP1616BZERR47M11

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Vishay Dale

FIXED IND 470NH 7A 16 MOHM SMD

SMCJ70CA-E3/57T

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 70V 113V DO214AB

PIC18F1230-I/SO

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IC MCU 8BIT 4KB FLASH 18SOIC