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APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G

Solo per riferimento

Numero parte APT15GP60BDQ1G
PNEDA Part # APT15GP60BDQ1G
Descrizione IGBT 600V 56A 250W TO247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.120
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT15GP60BDQ1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT15GP60BDQ1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT15GP60BDQ1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)56A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)65A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 15A
Potenza - Max250W
Switching Energy130µJ (on), 120µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge55nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C8ns/29ns
Condizione di test400V, 15A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 [B]

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

85A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

320W

Switching Energy

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

157nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/229ns

Condizione di test

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

153ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

96A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Potenza - Max

577W

Switching Energy

2.7mJ (on), 1.6mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

87nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/177ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXYH)

IRG4IBC20KDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11.5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

23A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Potenza - Max

34W

Switching Energy

340µJ (on), 300µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

34nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

54ns/180ns

Condizione di test

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB Full-Pak

FGD3040G2-F085C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

41A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

21nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

0.9µs/4.8µs

Condizione di test

300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

26.9A

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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