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APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G

Solo per riferimento

Numero parte APT15GP60BDQ1G
PNEDA Part # APT15GP60BDQ1G
Descrizione IGBT 600V 56A 250W TO247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.120
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT15GP60BDQ1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT15GP60BDQ1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT15GP60BDQ1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)56A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)65A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 15A
Potenza - Max250W
Switching Energy130µJ (on), 120µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge55nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C8ns/29ns
Condizione di test400V, 15A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 [B]

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Potenza - Max

260W

Switching Energy

330µJ (on), 720µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

214nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

43ns/140ns

Condizione di test

390V, 40A, 3.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

44ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

MAX247™

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

270W

Switching Energy

450µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

116nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/173ns

Condizione di test

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

58ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

IRG7PH42UDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

85A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

320W

Switching Energy

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

157nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/229ns

Condizione di test

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

153ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

450V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 20A

Potenza - Max

50.4W

Switching Energy

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Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

73nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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