APT11GF120BRDQ1G
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| Numero parte | APT11GF120BRDQ1G |
| PNEDA Part # | APT11GF120BRDQ1G |
| Descrizione | IGBT 1200V 25A 156W TO247 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.582 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT11GF120BRDQ1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT11GF120BRDQ1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
APT11GF120BRDQ1G, APT11GF120BRDQ1G Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 429,98 KB)
  
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APT11GF120BRDQ1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 25A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 24A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 8A |
| Potenza - Max | 156W |
| Switching Energy | 300µJ (on), 285µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 65nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 7ns/100ns |
| Condizione di test | 800V, 8A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
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