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APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Solo per riferimento

Numero parte APT100GN60LDQ4G
PNEDA Part # APT100GN60LDQ4G
Descrizione IGBT 600V 229A 625W TO264
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.902
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT100GN60LDQ4G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT100GN60LDQ4G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT100GN60LDQ4G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)229A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 100A
Potenza - Max625W
Switching Energy4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge600nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C31ns/310ns
Condizione di test400V, 100A, 1Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264 [L]

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Potenza - Max

77W

Switching Energy

56µJ (on), 122µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

13nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/75ns

Condizione di test

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

74ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

NGTB30N120FL2WG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Potenza - Max

452W

Switching Energy

2.6mJ (on), 700µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

220nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

98ns/210ns

Condizione di test

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

240ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IRGBC30F

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

31A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 17A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

13A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Potenza - Max

45W

Switching Energy

85µJ (on), 95µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/70ns

Condizione di test

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

105A

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2V @ 15V, 35A

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Gate Charge

315nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

35ns/190ns

Condizione di test

600V, 35A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

170ns

Temperatura di esercizio

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