IRG8P50N120KD-EPBF
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| Numero parte | IRG8P50N120KD-EPBF |
| PNEDA Part # | IRG8P50N120KD-EPBF |
| Descrizione | IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.844 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRG8P50N120KD-EPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRG8P50N120KD-EPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
IRG8P50N120KD-EPBF, IRG8P50N120KD-EPBF Datasheet
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IRG8P50N120KD-EPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 80A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Potenza - Max | 350W |
| Switching Energy | 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 315nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 35ns/190ns |
| Condizione di test | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 170ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
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