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APT100GN120J

APT100GN120J

Solo per riferimento

Numero parte APT100GN120J
PNEDA Part # APT100GN120J
Descrizione IGBT 1200V 153A 446W SOT227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $132,1037
50 ---------- $125,9113
100 ---------- $119,7190
200 ---------- $113,5266
400 ---------- $108,3663
500 ---------- $103,2060
Disponibile 168
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT100GN120J Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT100GN120J
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT100GN120J Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)153A
Potenza - Max446W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce6.5nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

940W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

VS-GT50TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

405W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.24nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

A1P25S12M3-F

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Potenza - Max

197W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1550pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

ACEPACK™ 1

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Potenza - Max

85W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

600µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

0.6nF @ 25V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E2

Pacchetto dispositivo fornitore

E2

FP25R12W2T4B11BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

39A

Potenza - Max

175W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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