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FP25R12W2T4B11BOMA1

FP25R12W2T4B11BOMA1

Solo per riferimento

Numero parte FP25R12W2T4B11BOMA1
PNEDA Part # FP25R12W2T4B11BOMA1
Descrizione IGBT MODULE 1200V 25A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.236
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FP25R12W2T4B11BOMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFP25R12W2T4B11BOMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FP25R12W2T4B11BOMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)39A
Potenza - Max175W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 25A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1.45nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Potenza - Max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FD1000R33HL3KBPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1000A

Potenza - Max

11500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 1000A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

190nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT150DA60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

225A

Potenza - Max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

APTGT200DA60TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

290A

Potenza - Max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

APTGT100DU170TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual, Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

560W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

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