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AO4924L

AO4924L

Solo per riferimento

Numero parte AO4924L
PNEDA Part # AO4924L
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.832
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4924L Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4924L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO4924L, AO4924L Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 177,26 KB)
PDFAO4924L Datasheet Copertura
AO4924L Datasheet Pagina 2 AO4924L Datasheet Pagina 3 AO4924L Datasheet Pagina 4 AO4924L Datasheet Pagina 5 AO4924L Datasheet Pagina 6 AO4924L Datasheet Pagina 7 AO4924L Datasheet Pagina 8 AO4924L Datasheet Pagina 9

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AO4924L Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieSRFET™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.8mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1885pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

89A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 44.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

112nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6850pF @ 25V

Potenza - Max

357W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 9V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

CSD87503Q3E

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Produttore

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 15V

Potenza - Max

15.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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