APTM20DHM20TG
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| Numero parte | APTM20DHM20TG |
| PNEDA Part # | APTM20DHM20TG |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.860 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTM20DHM20TG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM20DHM20TG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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APTM20DHM20TG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 89A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 44.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 112nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6850pF @ 25V |
| Potenza - Max | 357W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 278A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 700nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20000pF @ 25V Potenza - Max 780W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP6 Pacchetto dispositivo fornitore SP6 |
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