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AO4801AL

AO4801AL

Solo per riferimento

Numero parte AO4801AL
PNEDA Part # AO4801AL
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.896
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4801AL Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4801AL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO4801AL, AO4801AL Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 255,26 KB)
PDFAO4801AL_001 Datasheet Copertura
AO4801AL_001 Datasheet Pagina 2 AO4801AL_001 Datasheet Pagina 3 AO4801AL_001 Datasheet Pagina 4 AO4801AL_001 Datasheet Pagina 5

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AO4801AL Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.1A, 12.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A (Ta), 3.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V

Potenza - Max

1.36W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A, 60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

975pF @ 10V

Potenza - Max

27W, 48W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Produttore

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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