ALD1102BSAL
Solo per riferimento
| Numero parte | ALD1102BSAL |
| PNEDA Part # | ALD1102BSAL |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC |
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.784 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
ALD1102BSAL Risorse
| Brand | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | ALD1102BSAL |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- ALD1102BSAL Datasheet
- where to find ALD1102BSAL
- Advanced Linear Devices Inc.
- Advanced Linear Devices Inc. ALD1102BSAL
- ALD1102BSAL PDF Datasheet
- ALD1102BSAL Stock
- ALD1102BSAL Pinout
- Datasheet ALD1102BSAL
- ALD1102BSAL Supplier
- Advanced Linear Devices Inc. Distributor
- ALD1102BSAL Price
- ALD1102BSAL Distributor
ALD1102BSAL Specifiche
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) Matched Pair |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 10.6V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N Channel (Phase Leg) Funzione FET Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 295A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 200A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 40mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 644nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 1000V Potenza - Max 1250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 12V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TISON-8 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Tc), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V Potenza - Max 24W, 52W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-XFLGA Pacchetto dispositivo fornitore 10-Picostar (3.37x1.47) |
