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2SK545-11D-TB-E

2SK545-11D-TB-E

Solo per riferimento

Numero parte 2SK545-11D-TB-E
PNEDA Part # 2SK545-11D-TB-E
Descrizione JFET N-CH 1MA 125MW CP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $1,9269
250 ---------- $1,8366
500 ---------- $1,7463
1.000 ---------- $1,6559
2.500 ---------- $1,5807
5.000 ---------- $1,5054
Disponibile 212
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK545-11D-TB-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK545-11D-TB-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2SK545-11D-TB-E, 2SK545-11D-TB-E Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 283,63 KB)
PDF2SK545-11D-TB-E Datasheet Copertura
2SK545-11D-TB-E Datasheet Pagina 2 2SK545-11D-TB-E Datasheet Pagina 3 2SK545-11D-TB-E Datasheet Pagina 4 2SK545-11D-TB-E Datasheet Pagina 5 2SK545-11D-TB-E Datasheet Pagina 6

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2SK545-11D-TB-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)60µA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max1mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id1.5V @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1.7pF @ 10V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max125mW
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore3-CP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

750mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 135°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

*

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

SMMBF4391LT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 15V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

TF256-5-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

240µA @ 2V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

100mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.1pF @ 2V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

30mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1123

Pacchetto dispositivo fornitore

3-USFP

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

20V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

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