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2N6660JAN02

2N6660JAN02

Solo per riferimento

Numero parte 2N6660JAN02
PNEDA Part # 2N6660JAN02
Descrizione MOSFET JFET N-CH
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.824
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N6660JAN02 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N6660JAN02
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET

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  • 2N6660JAN02 Distributor

2N6660JAN02 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie*
Tipo FET-
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

750mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

FJN598JCBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

20V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BSR56

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

25 Ohms

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

TF256TH-4-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

140µA @ 2V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

100mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.1pF @ 2V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

3-VTFP

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-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1.8V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 135°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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