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2SK01980RL

2SK01980RL

Solo per riferimento

Numero parte 2SK01980RL
PNEDA Part # 2SK01980RL
Descrizione JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario
1 ---------- $5,8794
250 ---------- $5,6038
500 ---------- $5,3282
1.000 ---------- $5,0526
2.500 ---------- $4,8230
5.000 ---------- $4,5933
Disponibile 5.193
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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2SK01980RL Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK01980RL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2SK01980RL, 2SK01980RL Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 208,72 KB)
PDF2SK01980RL Datasheet Copertura
2SK01980RL Datasheet Pagina 2 2SK01980RL Datasheet Pagina 3 2SK01980RL Datasheet Pagina 4

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2SK01980RL Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)500µA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max20mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id100mV @ 10µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds14pF @ 10V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max150mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreMini3-G1

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BFR31LT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2.5V @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CP206-2N4393-CT

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

100 Ohms

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

2N4119A-2

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-206AF (TO-72)

U291-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1.5V @ 3nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 0V

Resistenza - RDS (On)

7 Ohms

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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