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2N4119A-2

2N4119A-2

Solo per riferimento

Numero parte 2N4119A-2
PNEDA Part # 2N4119A-2
Descrizione MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.032
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N4119A-2 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N4119A-2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2N4119A-2, 2N4119A-2 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 68,78 KB)
PDFSST4119-T1-E3 Datasheet Copertura
SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 6

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2N4119A-2 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)40V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)200µA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id2V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3pF @ 10V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-206AF (TO-72)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4.5V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

3 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

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Serie

-

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N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

300 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 0V

Resistenza - RDS (On)

85 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1nA

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Resistenza - RDS (On)

100 Ohms

Potenza - Max

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