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2SC3356-T1B-R25-A

2SC3356-T1B-R25-A

Solo per riferimento

Numero parte 2SC3356-T1B-R25-A
PNEDA Part # 2SC3356-T1B-R25-A
Descrizione RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.560
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC3356-T1B-R25-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC3356-T1B-R25-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SC3356-T1B-R25-A, 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 2.238,37 KB)
PDF2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Copertura
2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 2 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 3 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 4 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 5 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 6 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 7 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 8 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 9

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2SC3356-T1B-R25-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Guadagno11.5dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

75V

Frequenza - Transizione

1.2GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.7dB ~ 9dB

Potenza - Max

600W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55ST

Pacchetto dispositivo fornitore

55ST

CA3127M

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 100MHz

Guadagno

27dB ~ 30dB

Potenza - Max

85mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

BFP620H7764XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

65GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

21.5dB

Potenza - Max

185mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 50mA, 1.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

58048

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.3V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Guadagno

18dB

Potenza - Max

115mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343F

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