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NE662M04-T2-A

NE662M04-T2-A

Solo per riferimento

Numero parte NE662M04-T2-A
PNEDA Part # NE662M04-T2-A
Descrizione RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.114
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE662M04-T2-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE662M04-T2-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE662M04-T2-A, NE662M04-T2-A Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 1.263,12 KB)
PDF2SC5508-A Datasheet Copertura
2SC5508-A Datasheet Pagina 2 2SC5508-A Datasheet Pagina 3 2SC5508-A Datasheet Pagina 4 2SC5508-A Datasheet Pagina 5 2SC5508-A Datasheet Pagina 6 2SC5508-A Datasheet Pagina 7 2SC5508-A Datasheet Pagina 8 2SC5508-A Datasheet Pagina 9 2SC5508-A Datasheet Pagina 10

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NE662M04-T2-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3.3V
Frequenza - Transizione25GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB @ 2GHz
Guadagno18dB
Potenza - Max115mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-343F

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.5V

Frequenza - Transizione

4.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Guadagno

4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ

Potenza - Max

140mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-3

Pacchetto dispositivo fornitore

M13

BFP193E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

12dB ~ 18dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143-4

75101H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MRF455

M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

13dB

Potenza - Max

60W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

211-07

Pacchetto dispositivo fornitore

211-07, STYLE 1

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.3dB @ 1GHz

Guadagno

8.3dB

Potenza - Max

1.8W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

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