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2N7002DW

2N7002DW

Solo per riferimento

Numero parte 2N7002DW
PNEDA Part # 2N7002DW
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 743.358
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N7002DW Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N7002DW
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
2N7002DW, 2N7002DW Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 257,36 KB)
PDF2N7002DW Datasheet Copertura
2N7002DW Datasheet Pagina 2 2N7002DW Datasheet Pagina 3 2N7002DW Datasheet Pagina 4 2N7002DW Datasheet Pagina 5 2N7002DW Datasheet Pagina 6

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2N7002DW Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Potenza - Max200mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88 (SC-70-6)

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Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-FlipFet™

Pacchetto dispositivo fornitore

6-FlipFet™

CAS100H12AM1

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Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-FET™

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

168A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 50mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9500pF @ 800V

Potenza - Max

568W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

17-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 6V

Potenza - Max

7.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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