SIA975DJ-T1-GE3
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| Numero parte | SIA975DJ-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIA975DJ-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 26.322 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIA975DJ-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIA975DJ-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIA975DJ-T1-GE3, SIA975DJ-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 296,68 KB)
  
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SIA975DJ-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 6V |
| Potenza - Max | 7.8W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 20V Potenza - Max 20.8W Temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual |
