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2N4392UB

2N4392UB

Solo per riferimento

Numero parte 2N4392UB
PNEDA Part # 2N4392UB
Descrizione N CHANNEL JFET
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.230
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N4392UB Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N4392UB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET

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2N4392UB Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie*
Tipo FET-
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2.5V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

2SK01980RL

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

20mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

100mV @ 10µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G1

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Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2N5638RLRA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 12V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

310mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

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J109_D74Z

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

40mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

12 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

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