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J105_D27Z

J105_D27Z

Solo per riferimento

Numero parte J105_D27Z
PNEDA Part # J105_D27Z
Descrizione JFET N-CH 25V 625MW TO92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.706
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

J105_D27Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJ105_D27Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
J105_D27Z, J105_D27Z Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 545,92 KB)
PDFJFTJ105 Datasheet Copertura
JFTJ105 Datasheet Pagina 2 JFTJ105 Datasheet Pagina 3 JFTJ105 Datasheet Pagina 4 JFTJ105 Datasheet Pagina 5 JFTJ105 Datasheet Pagina 6 JFTJ105 Datasheet Pagina 7 JFTJ105 Datasheet Pagina 8

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J105_D27Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)25V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)500mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id4.5V @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)3 Ohms
Potenza - Max625mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4.1pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SC-72

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SPA

MV2N4861

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/385

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

60 Ohms

Potenza - Max

360mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18 (TO-206AA)

2SK3796-3-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

10mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

180mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

200 Ohms

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SMCP

J177_D27Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

300 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

J175-D26Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

125 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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