Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

2N4117A-E3

2N4117A-E3

Solo per riferimento

Numero parte 2N4117A-E3
PNEDA Part # 2N4117A-E3
Descrizione MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.658
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N4117A-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N4117A-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2N4117A-E3, 2N4117A-E3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 68,78 KB)
PDFSST4119-T1-E3 Datasheet Copertura
SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • 2N4117A-E3 Datasheet
  • where to find 2N4117A-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix 2N4117A-E3
  • 2N4117A-E3 PDF Datasheet
  • 2N4117A-E3 Stock

  • 2N4117A-E3 Pinout
  • Datasheet 2N4117A-E3
  • 2N4117A-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • 2N4117A-E3 Price
  • 2N4117A-E3 Distributor

2N4117A-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)40V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)30µA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id600mV @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3pF @ 10V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-206AF (TO-72)

I prodotti a cui potresti essere interessato

MX2N4860

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/385

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

6V @ 500pA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

40 Ohms

Potenza - Max

360mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18 (TO-206AA)

JANTX2N4091

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

360mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18

PN4393_D75Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

100 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

U290

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 3nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 0V

Resistenza - RDS (On)

3 Ohms

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-206AC (TO-52)

J113_D26Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

100 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Venduto di recente

AS5145B-HSSM

AS5145B-HSSM

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC 1024PPR

LT8331IMSE#TRPBF

LT8331IMSE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG MULTI CONFG ADJ 16MSOP

MAX811REUS-T

MAX811REUS-T

Maxim Integrated

IC MPU V-MONITOR 2.63V SOT143-4

ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

CRYSTAL 114.2850MHZ 18PF SMD

3314J-1-103E

3314J-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W J LEAD TOP

MAX9011EUT+T

MAX9011EUT+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR TTL SOT23-6

MC33172DR2G

MC33172DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

IRF7811ATRPBF

IRF7811ATRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC

MIC2026-2YM

MIC2026-2YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

BAT54AWT1G

BAT54AWT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323

MC33269DTRK-3.3G

MC33269DTRK-3.3G

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 3.3V 800MA DPAK

LSXH4L

LSXH4L

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION DPDT 10A 120V