2N3822
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| Numero parte | 2N3822 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 2N3822 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | N CHANNEL JFET | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 195 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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2N3822 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N3822 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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2N3822 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/375 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 50V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 50V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 10mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 6V @ 500pA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 15V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 300mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 35V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 50 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 250 Ohms Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 800mV @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 60 Ohms Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
