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2SJ03640QL

2SJ03640QL

Solo per riferimento

Numero parte 2SJ03640QL
PNEDA Part # 2SJ03640QL
Descrizione JFET P-CH 20MA 150MW SMINI3P
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.354
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SJ03640QL Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SJ03640QL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2SJ03640QL, 2SJ03640QL Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 201,33 KB)
PDF2SJ03640QL Datasheet Copertura
2SJ03640QL Datasheet Pagina 2 2SJ03640QL Datasheet Pagina 3 2SJ03640QL Datasheet Pagina 4

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  • 2SJ03640QL Distributor

2SJ03640QL Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FETP-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)600µA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max20mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id1.5V @ 10µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12pF @ 10V
Resistenza - RDS (On)300 Ohms
Potenza - Max150mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSMini3-G1

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

50V

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 3nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 0V

Resistenza - RDS (On)

3 Ohms

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 3nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

10 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

6V @ 500pA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

40 Ohms

Potenza - Max

360mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

10mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2.5V @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

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