1N6080US
Solo per riferimento
| Numero parte | 1N6080US |
| PNEDA Part # | 1N6080US |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.592 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
1N6080US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | 1N6080US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- 1N6080US Datasheet
- where to find 1N6080US
- Microsemi
- Microsemi 1N6080US
- 1N6080US PDF Datasheet
- 1N6080US Stock
- 1N6080US Pinout
- Datasheet 1N6080US
- 1N6080US Supplier
- Microsemi Distributor
- 1N6080US Price
- 1N6080US Distributor
1N6080US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 37.7A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, G |
| Pacchetto dispositivo fornitore | G-MELF (D-5C) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 155°C |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/578 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 125V Corrente - Media Rettificata (Io) 300mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 6ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 50nA @ 20V Capacità @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, D Pacchetto dispositivo fornitore D-5D Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 4.3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.65V @ 5A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 650V Capacità @ Vr, F 274pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-276AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-276 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 250°C |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 20A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 600V Capacità @ Vr, F 730pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.33V @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 310ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 550A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1500A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 15µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 50mA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-200AA, A-PUK Pacchetto dispositivo fornitore DO-200AA, R62 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
