1N1200A
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| Numero parte | 1N1200A |
| PNEDA Part # | 1N1200A |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.556 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N1200A Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N1200A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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1N1200A Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 12A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 520mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 85A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 267A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB (DO-5) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 180°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 120V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 870mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 120V Capacità @ Vr, F 100pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AD Pacchetto dispositivo fornitore MicroSMP (DO-219AD) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/477 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia B, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
