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15GN01CA-TB-E

15GN01CA-TB-E

Solo per riferimento

Numero parte 15GN01CA-TB-E
PNEDA Part # 15GN01CA-TB-E
Descrizione RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.544
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15GN01CA-TB-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte15GN01CA-TB-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
15GN01CA-TB-E, 15GN01CA-TB-E Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 290,45 KB)
PDF15GN01CA-TB-E Datasheet Copertura
15GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 2 15GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 3 15GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 4 15GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 5 15GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 6 15GN01CA-TB-E Datasheet Pagina 7

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15GN01CA-TB-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)8V
Frequenza - Transizione1.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 10mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore3-CP

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

17GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz

Guadagno

20dB ~ 22dB

Potenza - Max

16mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 3mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3.6mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

CMPAK-4

MS1006

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

14dB

Potenza - Max

127W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

19 @ 1.4A, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3.25A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

M135

Pacchetto dispositivo fornitore

M135

2SC4226-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

4.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-3

MS1019

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Guadagno

15.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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