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Numero parte	Descrizione	Disponibile
2SK596S-C ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 0.1W Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4.1pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: SC-72 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-SPA	Disponibile159
2N5457 Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.31W TO-92 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 310mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92	Richiedi un preventivo
2N4416A Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V Tensione Drain to Source (Vdss): 35V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2.5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile1.818
MMBF4092 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 350MW SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile2.070
U431 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET DUAL P-CH 25V TO-78 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-78-6 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-78-6	Disponibile3.324
SST5485-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile29.384
SST5462-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 55V 4MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.8V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile8.926
SST4416-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2.2pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile7.292
SST174-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 0V Resistenza - RDS (On): 85 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236	Disponibile55.275
2N5115 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 30V TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile8.882
2N4416A Vishay Siliconix	Transistor - JFET MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2.5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AF (TO-72)	Disponibile2.060
2N4416 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AF (TO-72)	Disponibile4.994
2N4393-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile2.994
2N4393 Vishay Siliconix	Transistor - JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 100 Ohms Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile14.098
2N4339 Vishay Siliconix	Transistor - JFET MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 50V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile284
2N4117A Vishay Siliconix	Transistor - JFET MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AF (TO-72)	Disponibile8.198
2N4392 Vishay Siliconix	Transistor - JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile12.940
MMBFJ305 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile6.242
MMBF5458 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 350MW SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile68.025
MMBF5434 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3	Disponibile1.327
MMBFJ271 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile5.818
TF208TH-4-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: VTFP	Disponibile25.179
2SK715V-AC ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 15V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 50mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 100µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: SC-72 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-SPA	Disponibile31.559
2SK715V ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): 15V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 50mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 100µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: SC-72 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-SPA	Disponibile112
MMBF4091 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 350MW SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile1.321
MMBF5462 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.8V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile2
MMBF5459 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 350MW SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile8.752
J112RLRAG ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 35V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): 50 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile265.570
SMMBF4391LT1G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile6.978
MMBF5460 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 750mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile46.111

2SK596S-C

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 0.1W

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): -
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V
Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4.1pF @ 5V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 100mW
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: SC-72
Pacchetto dispositivo fornitore: 3-SPA

Disponibile159

2N5457

Central Semiconductor Corp

Transistor - JFET

JFET N-CH 25V 0.31W TO-92

Produttore: Central Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V
Tensione Drain to Source (Vdss): 25V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 310mW
Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92

Richiedi un preventivo

2N4416A

Central Semiconductor Corp

Transistor - JFET

JFET N-CH 35V 0.3W TO-72

Produttore: Central Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V
Tensione Drain to Source (Vdss): 35V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2.5V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 300mW
Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72

Disponibile1.818

MMBF4092

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
Resistenza - RDS (On): 50 Ohms
Potenza - Max: 350mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

Disponibile2.070

U431

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

JFET DUAL P-CH 25V TO-78

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 500mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-78-6 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-78-6

Disponibile3.324

SST5485-E3

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

JFET P-CH 35V 4MA SOT-23

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 350mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23

Disponibile29.384

SST5462-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

JFET P-CH 55V 4MA SOT-23

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: P-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.8V @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 350mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23

Disponibile8.926

SST4416-E3

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

JFET N-CH 36V 5MA SOT-23

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2.2pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 350mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23

Disponibile7.292

SST174-E3

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

JFET N-CH 30V 20MA SOT-23

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: P-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 0V
Resistenza - RDS (On): 85 Ohms
Potenza - Max: 350mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236

Disponibile55.275

2N5115

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

JFET P-CH 30V TO-18

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: -
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): -
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)

Disponibile8.882

2N4416A

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2.5V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 300mW
Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AF (TO-72)

Disponibile2.060

2N4416

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 300mW
Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AF (TO-72)

Disponibile4.994

2N4393-E3

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Resistenza - RDS (On): 100 Ohms
Potenza - Max: 1.8W
Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)

Disponibile2.994

2N4393

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Resistenza - RDS (On): 100 Ohms
Potenza - Max: 1.8W
Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)

Disponibile14.098

2N4339

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 50V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 100nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 300mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)

Disponibile284

2N4117A

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 300mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AF (TO-72)

Disponibile8.198

2N4392

Vishay Siliconix

Transistor - JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Resistenza - RDS (On): 60 Ohms
Potenza - Max: 1.8W
Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)

Disponibile12.940

MMBFJ305

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 225mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23

Disponibile6.242

MMBF5458

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 25V 350MW SOT23

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 350mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

Disponibile68.025

MMBF5434

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 3nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 350mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3

Disponibile1.327

MMBFJ271

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: P-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.5V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 225mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

Disponibile5.818

TF208TH-4-TL-H

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): -
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 2V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 100mW
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore: VTFP

Disponibile25.179

2SK715V-AC

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): -
Tensione Drain to Source (Vdss): 15V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
Corrente assorbita (Id) - Max: 50mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 100µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 300mW
Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: SC-72
Pacchetto dispositivo fornitore: 3-SPA

Disponibile31.559

2SK715V

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): -
Tensione Drain to Source (Vdss): 15V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
Corrente assorbita (Id) - Max: 50mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 600mV @ 100µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 300mW
Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: SC-72
Pacchetto dispositivo fornitore: 3-SPA

Disponibile112

MMBF4091

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
Resistenza - RDS (On): 30 Ohms
Potenza - Max: 350mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

Disponibile1.321

MMBF5462

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: P-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.8V @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 225mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

Disponibile2

MMBF5459

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 25V 350MW SOT23

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 350mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

Disponibile8.752

J112RLRAG

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 35V 0.35W TO92

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Resistenza - RDS (On): 50 Ohms
Potenza - Max: 350mW
Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3

Disponibile265.570

SMMBF4391LT1G

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
Resistenza - RDS (On): 30 Ohms
Potenza - Max: 225mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)

Disponibile6.978

MMBF5460

ON Semiconductor

Transistor - JFET

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: P-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max: -
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 750mV @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Resistenza - RDS (On): -
Potenza - Max: 225mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

Disponibile46.111

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