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MMBFJ305

MMBFJ305

Solo per riferimento

Numero parte MMBFJ305
PNEDA Part # MMBFJ305
Descrizione JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $1,7748
250 ---------- $1,6917
500 ---------- $1,6085
1.000 ---------- $1,5253
2.500 ---------- $1,4559
5.000 ---------- $1,3866
Disponibile 6.242
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBFJ305 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBFJ305
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
MMBFJ305, MMBFJ305 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 238,11 KB)
PDFMMBFJ305 Datasheet Copertura
MMBFJ305 Datasheet Pagina 2 MMBFJ305 Datasheet Pagina 3 MMBFJ305 Datasheet Pagina 4 MMBFJ305 Datasheet Pagina 5

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MMBFJ305 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)30V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)8mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id500mV @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max225mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

3.3µA @ 1200V

Corrente assorbita (Id) - Max

35A

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 19.5V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

70 mOhms

Potenza - Max

238W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

2SK208-R(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

50V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

300µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

6.5mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

400mV @ 100nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8.2pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

S-Mini

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

10V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

75 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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