GeneSiC Semiconductor Raddrizzatori a ponte
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CategoriaSemiconduttori / Diodi e raddrizzatori / Raddrizzatori a ponte
ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Record 305
Pagina 11/11
Immagine |
Numero parte |
Produttore |
Descrizione |
Disponibile |
Quantità |
Serie | Tipo di diodo | Tecnologia | Tensione - Picco inverso (Max) | Corrente - Media Rettificata (Io) | Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | Corrente - Perdita inversa @ Vr | Temperatura di esercizio | Tipo di montaggio | Pacchetto / Custodia | Pacchetto dispositivo fornitore |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GeneSiC Semiconductor |
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOM |
651 |
|
- | Single Phase | Standard | 600V | 1.5A | 1V @ 1A | 10µA @ 600V | -65°C ~ 125°C (TJ) | Through Hole | 4-Circular, WOM | WOM |
|
|
|
GeneSiC Semiconductor |
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOM |
3.438 |
|
- | Single Phase | Standard | 800V | 1.5A | 1V @ 1A | 5µA @ 800V | -65°C ~ 125°C (TJ) | Through Hole | 4-Circular, WOM | WOM |
|
|
|
GeneSiC Semiconductor |
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A WOM |
12.957 |
|
- | Single Phase | Standard | 1kV | 1.5A | 1V @ 1A | 10µA @ 1000V | -65°C ~ 125°C (TJ) | Through Hole | 4-Circular, WOM | WOM |
|
|
|
GeneSiC Semiconductor |
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A KBP |
2.034 |
|
- | Single Phase | Standard | 200V | 2A | 1.1V @ 2A | 10µA @ 200V | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | 4-SIP, KBP | KBP |
|
|
|
GeneSiC Semiconductor |
BRIDGE RECT 3P 400V 75A MODULE |
5.868 |
|
- | Three Phase | Standard | 400V | 75A | - | 10µA @ 400V | - | Chassis Mount | Module | Module |