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Diodes Incorporated Transistor - FET, MOSFET - Singolo

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Singolo
ProduttoreDiodes Incorporated
Record 1.718
Pagina 58/58
Immagine
Numero parte
Produttore
Descrizione
Disponibile
Quantità
Serie
Tipo FET
Tecnologia
Tensione Drain to Source (Vdss)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs (th) (Max) @ Id
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (massimo)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di esercizio
Tipo di montaggio
Pacchetto dispositivo fornitore
Pacchetto / Custodia
2N7002T-7-G
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT523
7.812
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BSS138TA-79
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH SOT23
2.682
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DMG3415U-13
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH DFN-3
4.338
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DMN2400UFB4-7B
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH SOT23
3.544
*
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DMN2400UFB4-7R
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH SOT23
4.194
*
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DMN2500UFB4-7B
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH SOT23
4.680
*
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DMN62D0LFD-13
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH SOT23
7.956
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DMS3014SFG-13
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH POWERDI3333-8
Richiedi un preventivo
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