Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
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Transistor - Unijunction programmabile (26)
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Record 64.903

Pagina 1921/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
TSM160P04LCRHRLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2712pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile64.512
TSM170N06CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (IPAK) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.096
TSM170N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO252 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile241.038
TSM170N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1556pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 73.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.942
TSM180N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 30V 9A 8SOP Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile23.190
TSM180N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 21W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (3x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.852
TSM180P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile18.852
TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 190A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile15.312
TSM1N45CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 500MA TO92 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Disponibile7.686
TSM1N45CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 500MA TO92 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile8.334
TSM1N45CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile5.580
TSM1N45DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 250mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±50V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.156
TSM1N80CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6Ohm @ 150mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile26.262
TSM1NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 39W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (IPAK) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile17.772
TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 39W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile79.896
TSM1NB60CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 39W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile21.264
TSM1NB60SCT A3 Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO92 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Disponibile8.316
TSM1NB60SCT A3G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 500MA TO92 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Disponibile3.526
TSM1NB60SCT B0 Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 500MA TO92 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile3.024
TSM1NB60SCT B0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 500MA TO92 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile7.866
TSM210N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile113.106
TSM210N06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 210A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7900pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.712
TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1454pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.190
TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.392
TSM22P10CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile7.650
TSM22P10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile2.322
TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile258.048
TSM2301BCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.996
TSM2301CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 447pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.866
TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 587pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile189.330

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