Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 240W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-DFN-EP (8x8) Pacchetto / Custodia: 4-VSFN Exposed Pad	Disponibile2.358
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 120V 32A TO-220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 120V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 60V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.118
TK32E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 120V 60A TO-220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 120V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 60V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 98W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.656
TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK+ Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile75.804
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 34A TO-220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.564
TK34E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 103W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.028
TK35A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 35A TO-220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.536
TK35A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.660
TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 35A TO-220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.392
TK35E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 55A TO-220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 72W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.302
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.208
TK35N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 270W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.634
TK35N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 270W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.326
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 58W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK+ Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.398
TK380A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.910
TK380P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.010
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile23.442
TK39A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.716
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N) Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 270W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N) Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile7.392
TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 270W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N) Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile5.058
TK39N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 270W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile21.390
TK39N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 38.8A TO247 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 270W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.832
TK39N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 270W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.130
TK3A60DA(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.498
TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.592
TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.484
TK3A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.698
TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.608
TK3R1A04PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 82A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4670pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 36W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.554
TK3R1E04PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4670pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 87W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile15.972

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