Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SI3495DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile2.808
SI3499DV-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile7.542
SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile90.696
SI3805DV-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile2.142
SI3805DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile7.722
SI3812DV-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 830mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile7.650
SI3812DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 830mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile6.246
SI3851DV-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 830mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile2.268
SI3853DV-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 830mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile7.326
SI3853DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 830mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile5.868
SI3867DV-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile8.802
SI3867DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile5.724
SI3879DV-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 3.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile5.166
SI3879DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 3.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile6.246
SI4004DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1280pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.580
SI4010DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3595pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.844
SI4038DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 42.5A 8-SO Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4070pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.672
SI4048DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.280
SI4056DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile102.600
SI4058DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile25.920
SI4062DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3175pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 7.8W (Tc) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.970
SI4090DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.490
SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile65.082
SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile24.984
SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8190pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile40.512
SI4102DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.418
SI4102DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.894
SI4103DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHAN 30V SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen III Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile20.568
SI4104DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.464
SI4104DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.484

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