Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 150V 420MA SC70 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 420mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile46.350
SI1413DH-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile8.694
SI1413DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile3.708
SI1413EDH-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile3.150
SI1413EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile6.912
SI1414DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile5.346
SI1416EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile367.794
SI1417EDH-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile4.140
SI1417EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile3.258
SI1419DH-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile7.830
SI1422DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile3.690
SI1424EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile29.496
SI1426DH-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile8.352
SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile4.032
SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile2.286
SI1428EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile3.042
SI1431DH-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 950mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile3.240
SI1431DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 950mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile8.568
SI1433DH-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 950mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile4.914
SI1433DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 950mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile5.256
SI1441EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 8V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile5.328
SI1442DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile42.636
SI1443EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile29.952
SI1450DH-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.05nC @ 5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile8.874
SI1450DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.05nC @ 5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile5.904
SI1467DH-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 561pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile29.376
SI1467DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 561pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile23.526
SI1469DH-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile368.292
SI1469DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile3.222
SI1470DH-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile8.298

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