Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
RJK1555DPA-00#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V W-PAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile2.196
RJK1555DPA-WS#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH W-PAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.802
RJK1557DPA-00#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V W-PAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.992
RJK1557DPA-WS#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH W-PAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.208
RJK1575DPA-00#J5A Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V WPAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: WPAK(3F) (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.434
RJK1576DPA-00#J5A Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V WPAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: WPAK(3F) (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.454
RJK2006DPE-00#J3 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-LDPAK Pacchetto / Custodia: SC-83	Disponibile8.154
RJK2009DPM-00#T0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3	Disponibile5.418
RJK2055DPA-00#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V W-PAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.856
RJK2055DPA-WS#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH W-PAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.562
RJK2057DPA-00#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 20A WPAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile6.498
RJK2057DPA-WS#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH W-PAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.544
RJK2075DPA-00#J5A Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: WPAK(3F) (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.614
RJK2076DPA-00#J5A Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 20A WPAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: WPAK(3F) (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.150
RJK2508DPK-00#T0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 50A TO3P Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile5.184
RJK2511DPK-00#T0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 65A TO3P Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 65A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile3.690
RJK2555DPA-00#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 17A TO3P Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.600
RJK2555DPA-WS#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH W-PAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.112
RJK2557DPA-00#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 17A TO3P Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.310
RJK2557DPA-WS#J0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH W-PAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.164
RJK4002DJE-00#Z0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 3A TO92 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 100V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.54W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)	Disponibile5.364
RJK4002DPD-00#J2 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 3A MP3A Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: MP-3A Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.436
RJK4002DPP-M0#T2 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 3A TO220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 100V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FL Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.246
RJK4006DPD-00#J2 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 8A MP3A Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: MP-3A Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.920
RJK4006DPD-WS#J2 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH MP3A Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: MP-3A Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.228
RJK4006DPP-M0#T2 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 8A TO220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 29W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FL Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.634
RJK4007DPP-M0#T2 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 7.6A TO220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FL Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.904
RJK4013DPE-00#J3 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 17A LDPAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-LDPAK Pacchetto / Custodia: SC-83	Disponibile8.982
RJK4018DPK-00#T0 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 43A TO3P Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile4.914
RJK4512DPE-00#J3 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 14A LDPAK Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-LDPAK Pacchetto / Custodia: SC-83	Disponibile7.884

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