Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
R6020JNXC7G Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo R6020JNX IS A POWER MOSFET WITH Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 15V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 76W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.362
R6020JNZ4C13 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo R6020JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 15V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 252W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247G Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.042
R6020JNZC8 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo R6020JNZ IS A POWER MOSFET FOR S Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 15V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 76W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile8.748
R6020KNJTL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NCH 600V 20A POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 231W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.428
R6020KNX Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 25V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile14.292
R6020KNZ1C9 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NCH 600V 20A POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 231W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile15.036
R6020KNZ4C13 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NCH 600V 20A POWER MOSFET. R602 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 231W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.524
R6020KNZC8 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile8.688
R6020PNJFRATL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo R6020PNJFRA IS THE HIGH RELIABIL Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 304W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.806
R6024ENJTL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 24A LPT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS (D2PAK) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.474
R6024ENX Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 24A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.620
R6024ENZ1C9 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.452
R6024ENZC8 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile9.636
R6024KNJTL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 245W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.182
R6024KNX Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 74W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile10.140
R6024KNZ1C9 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 245W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.796
R6024KNZC8 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 74W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile9.912
R6025ANZC8 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3250pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile6.156
R6025FNZ1C9 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 25A TO247 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile15.300
R6025FNZC8 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile8.280
R6025JNXC7G Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo R6025JNX IS A POWER MOSFET WITH Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 15V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.598
R6025JNZ4C13 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo R6025JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 15V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 306W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247G Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.084
R6025JNZC8 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NCH 600V 25A POWER MOSFET; R6025 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 15V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile6.660
R6030ENX Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 30A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.236
R6030ENZ1C9 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 30A TO247 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.360
R6030ENZ4C13 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NCH 600V 30A POWER MOSFET. R603 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 305W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.546
R6030ENZC8 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile8.004
R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo R6030JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 15V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 370W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247G Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.688
R6030JNZC8 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NCH 600V 30A POWER MOSFET; R6030 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 15V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 93W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile4.554
R6030KNX Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 86W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.692

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