Transistor

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Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
PMV60EN,215 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 280mW (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.096
PMV65ENEAR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.358
PMV65UN,215 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 183pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310mW (Ta), 2.17W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.272
PMV65UNEAR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 291pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 940mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.284
PMV65UNER Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 291pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 490mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.366
PMV65XP,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 744pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.018.356
PMV65XPEAR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 618pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile235.734
PMV65XPER Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 618pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.420
PMV65XP/MIR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 744pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.784
PMV65XPVL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 744pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.096
PMV75UP,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.5A Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile22.836
PMV90EN,215 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 132pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.362
PMV90ENER Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.794
PMXB120EPEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 309pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3 Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad	Disponibile44.676
PMXB350UPEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 116pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3 Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad	Disponibile3.600
PMXB360ENEAZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3 Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad	Disponibile155.172
PMXB40UNEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 556pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3 Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad	Disponibile2.772
PMXB43UNEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 551pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3 Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad	Disponibile36.276
PMXB56ENZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 209pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3 Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad	Disponibile2.052
PMXB65ENEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3 Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad	Disponibile6.282
PMXB65UPEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3 Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad	Disponibile40.560
PMXB75UPEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3 Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad	Disponibile51.126
PMZ1000UN,315 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH SOT883 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 480mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile85.836
PMZ1200UPEYL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V SOT883 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 410mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile4.770
PMZ130UNEYL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V SOT883 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile226.380
PMZ200UNEYL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V SOT883 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile196.038
PMZ250UN,315 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile4.464
PMZ270XN,315 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2.15A SOT883 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile8.730
PMZ290UNE2YL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile282.840
PMZ290UNEYL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1A Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile3.114

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