Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NVMFS5C456NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile6.858
NVMFS5C456NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile6.624
NVMFS5C460NLAFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 21A 78A 5DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 78A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile58.158
NVMFS5C460NLAFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 21A 78A 5DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 78A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile3.996
NVMFS5C460NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.484
NVMFS5C460NLT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.858
NVMFS5C460NLWFAFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 21A 78A 5DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 78A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile2.034
NVMFS5C460NLWFAFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 21A 78A 5DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 78A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile2.916
NVMFS5C460NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.628
NVMFS5C460NLWFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.412
NVMFS5C460NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 71A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile7.542
NVMFS5C460NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 71A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile6.318
NVMFS5C466NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile4.806
NVMFS5C466NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile2.070
NVMFS5C466NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile4.716
NVMFS5C466NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile6.768
NVMFS5C468NLAFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 13A 37A 5DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile3.294
NVMFS5C468NLAFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 37A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile4.752
NVMFS5C468NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.752
NVMFS5C468NLT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.222
NVMFS5C468NLWFAFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V DFN5 WETTABLE Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile2.052
NVMFS5C468NLWFAFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 37A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile8.388
NVMFS5C468NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.462
NVMFS5C468NLWFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.526
NVMFS5C468NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V 12 MOHM T6 S08FL SING Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile8.442
NVMFS5C468NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V 12 MOHM T6 S08FL SING Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile7.992
NVMFS5C604NLAFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 287A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile28.698
NVMFS5C604NLAFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 287A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile7.902
NVMFS5C604NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), 287A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.292
NVMFS5C604NLT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), 287A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.320

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