Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1602/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
NTLUS4C16NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9.4A 6-UDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: µCool™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.37W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (1.6x1.6) Pacchetto / Custodia: 6-PowerUFDFN	Disponibile8.892
NTMD4184PFR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 770mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.426
NTMD4884NFR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 770mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.586
NTMFD4951NFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.862
NTMFD4951NFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.046
NTMFD4952NFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.024
NTMFD4952NFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.514
NTMFD4C50NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.424
NTMFD4C50NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.574
NTMFD6H852NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 8DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.644
NTMFS08N003C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PTNG 80/20V IN 5X6CLIP Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 147A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5350pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile22.944
NTMFS08N004C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 126A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4250pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6), Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.276
NTMFS08N2D5C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 166A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 166A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6240pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 138W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.038
NTMFS10N3D2C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 151A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 151A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6215pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 138W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.646
NTMFS10N7D2C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 78A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2635pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6), Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.722
NTMFS23D9N06HLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T8 60V LOW COSS Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.834
NTMFS4108NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13.5A SO-8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile6.516
NTMFS4108NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13.5A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile7.902
NTMFS4119NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile6.534
NTMFS4119NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile3.852
NTMFS4120NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile6.912
NTMFS4120NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile6.570
NTMFS4121NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile7.056
NTMFS4121NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile7.128
NTMFS4122NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9.1A SO-8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2310pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile2.124
NTMFS4122NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9.1A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2310pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile5.868
NTMFS4701NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1280pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile2.070
NTMFS4701NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1280pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile6.048
NTMFS4707NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile4.806
NTMFS4707NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile3.240

«
‹
1
...
1599
1600
1601
1602 (current)
1603
1604
1605
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message