Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1563/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MCP07N65-BP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H) PA Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.686
MCP60P06-BP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo P-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H) PA Produttore: Micro Commercial Co Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.256
MCP87018T-U/MF Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs (massimo): +10V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2925pF @ 12.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.474
MCP87022T-U/MF Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 8PDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (massimo): +10V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2310pF @ 12.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.382
MCP87030T-U/MF Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (massimo): +10V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 12.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.474
MCP87050T-U/MF Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 8PDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (massimo): +10V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.858
MCP87055T-U/LC Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 8PDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (massimo): +10V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 12.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (3x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.968
MCP87090T-U/LC Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 8PDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): +10V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 12.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (3x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.734
MCP87090T-U/MF Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 8PDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): +10V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 12.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.086
MCP87130T-U/LC Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 8PDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (massimo): +10V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 12.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (3x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.138
MCP87130T-U/MF Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 8PDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (massimo): +10V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 12.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.784
MCPF05N80-BP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 667pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.732
MCPF07N65-BP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.604
MCQ12N06-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL,MOSFETS,SOP-8 PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1988pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile33.162
MCQ4406-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.466
MCQ4407-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.680
MCQ4410-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9130pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.340
MCQ4435-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile31.668
MCQ4438-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.178
MCQ4459-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile28.314
MCQ4822-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile27.930
MCQ4953-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo P-CHANNEL,MOSFETS,SOP-8 PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile34.092
MCQ9435-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile27.768
MCS2305B-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo P-CHANNEL MOSFET, TSSOP-8 PACKAG Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1255pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.05W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Disponibile46.434
MCT06P10-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo P-CHANNEL MOSFETSOT-223 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile226.998
MCU04N60-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL,MOSFETS,DPAK PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile25.566
MCU05N60A-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFET,DPAK Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile281.646
MCU06N40-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFET, DPAK PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 462pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.326
MCU07N65-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFET, DPAK PACKAGE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.434
MCU10N10-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNELMOSFETDPAK Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.6A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile252.942

«
‹
1
...
1560
1561
1562
1563 (current)
1564
1565
1566
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message