Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRF7457PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.060
IRF7457TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.082
IRF7457TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.760
IRF7458PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.500
IRF7458TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.220
IRF7458TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.820
IRF7459 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.274
IRF7459PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.426
IRF7459TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.114
IRF7459TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.958
IRF7460 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.830
IRF7460PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.412
IRF7460TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.650
IRF7460TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.328
IRF7463 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.912
IRF7463PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.176
IRF7463TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.924
IRF7463TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.452
IRF7464 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 720mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.454
IRF7464PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 720mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.946
IRF7464TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 720mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.282
IRF7464TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 720mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.508
IRF7465 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.248
IRF7465PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.986
IRF7465TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile64.944
IRF7466 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.614
IRF7466PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.112
IRF7466TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.412
IRF7466TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.294
IRF7467 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2530pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.622

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