Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1362/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRF6729MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 190A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6030pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile2.106
IRF6775MTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Ta), 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1411pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MZ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MZ	Disponibile2.412
IRF6775MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Ta), 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1411pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MZ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MZ	Disponibile3.544
IRF6785MTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MZ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MZ	Disponibile5.454
IRF6785MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MZ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MZ	Disponibile7.740
IRF6794MTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 200A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4420pF @ 13V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile6.534
IRF6794MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V DIRECTFET MX Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 200A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4420pF @ 13V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile3.114
IRF6795MTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4280pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile4.518
IRF6795MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4280pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile2.520
IRF6797MTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 210A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5790pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile7.884
IRF6797MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET-MX Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 210A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5790pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile3.888
IRF6798MTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Ta), 197A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6560pF @ 13V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile2.646
IRF6798MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Ta), 197A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6560pF @ 13V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile4.050
IRF6810STR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 25V 16A S1 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1038pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET S1 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S1	Disponibile6.084
IRF6810STRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 25V 16A S1 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1038pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET S1 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S1	Disponibile8.928
IRF6811STR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 74A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1590pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SQ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SQ	Disponibile7.848
IRF6811STRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 74A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1590pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SQ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SQ	Disponibile7.164
IRF6892STR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 28A S3 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 125A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2510pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ S3C Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S3C	Disponibile7.902
IRF6892STRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 25V 28A S3 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 125A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2510pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ S3C Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S3C	Disponibile3.598
IRF6893MTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 29A MX Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Ta), 168A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3480pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile3.456
IRF6893MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 29A MX Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Ta), 168A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3480pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile7.452
IRF6894MTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4160pF @ 13V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 54W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile6.786
IRF6894MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4160pF @ 13V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 54W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile6.354
IRF6898MTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 213A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5435pF @ 13V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile4.752
IRF6898MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 213A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5435pF @ 13V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile3.474
IRF710 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.064
IRF710L Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 2A TO-262 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAK Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile6.372
IRF710PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile18.486
IRF710S Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.528
IRF710SPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile12.384

«
‹
1
...
1359
1360
1361
1362 (current)
1363
1364
1365
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message