Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPW65R660CFDFKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 6A TO247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.388
IPW80R280P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 17A TO247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 500V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 101W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3-41 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.128
IPW80R290C3AFKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V TO247 Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.732
IPW80R290C3AXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo AUTOMOTIVE Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 227W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.448
IPW80R360P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 500V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 84W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3-41 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.880
IPW90R120C3FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.420
IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6800nF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.730
IPW90R1K0C3FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.528
IPW90R1K2C3FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.068
IPW90R340C3FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 208W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile18.888
IPW90R340C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 208W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.454
IPW90R500C3FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.508
IPW90R500C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.186
IPW90R800C3FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.050
IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2310pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 71W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.958
IPZ40N04S55R4ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile72.618
IPZ40N04S58R4ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 771pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8-32 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.988
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 71W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile125.370
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile53.688
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSDSON-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile128.622
IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.688
IPZ60R037P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5243pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 255W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile3.600
IPZ60R040C7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4340pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 227W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile2.898
IPZ60R041P6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO247-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 77.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8180pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 481W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile2.592
IPZ60R060C7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 162W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile5.220
IPZ60R070P6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO247-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 53.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 391W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile7.164
IPZ60R099C7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1819pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile6.852
IPZ60R099P6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO247-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3330pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 278W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile3.150
IPZ60R125P6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO247-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3330pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 219W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile3.400
IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V TO247-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 446W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile6.444

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