Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPD25N06S4L30ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 29W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3-11 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.066
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 29W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3-11 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile44.364
IPD26DP06NMSAUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3-313 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.768
IPD26N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 621pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.002
IPD26N06S2L35ATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 621pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3-11 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.310
IPD30N03S2L07ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.076
IPD30N03S2L10ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.068
IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3-11 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile23.790
IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile758.724
IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 980pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.588
IPD30N06S2-15 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1485pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.398
IPD30N06S215ATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1485pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3-11 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile45.984
IPD30N06S223ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 901pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.120
IPD30N06S223ATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 901pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3-11 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.392
IPD30N06S2L-13 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.092
IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3-11 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile53.376
IPD30N06S2L23ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1091pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.320
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1091pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3-11 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile23.472
IPD30N06S4L23ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.542
IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3-11 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile26.226
IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.796
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile92.670
IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1976pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile492.294
IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL_100+ Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.484
IPD320N20N3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 34A Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.562
IPD320N20N3GBTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.056
IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 58W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.128
IPD33CN10NGBUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 58W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.364
IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 29A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile46.818
IPD350N06LGBUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 29A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.804

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