Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
HUF75639P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile18.048
HUF75639P3-F102 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.226
HUF75639S3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAK (TO-262) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile4.464
HUF75639S3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.102
HUF75639S3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.716
HUF75645P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3790pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile22.236
HUF75645S3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3790pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.646
HUF75645S3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3790pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile16.200
HUF75652G3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7585pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 515W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.932
HUF75829D3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 18A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile2.610
HUF75829D3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 18A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.544
HUF75829D3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 18A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.618
HUF75831SK8T ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1175pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.672
HUF75842P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2730pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile5.148
HUF75842S3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2730pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.436
HUF75842S3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2730pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.550
HUF75852G3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7690pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.310
HUF75925D3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 11A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.344
HUF75939P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 22A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.138
HUF76009D3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 20A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 41W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.600
HUF76013D3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 20A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 624pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.050
HUF76013D3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 20A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 624pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.796
HUF76013P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 20A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 624pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.748
HUF76407D3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile6.624
HUF76407D3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.838
HUF76407D3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.528
HUF76407P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.030
HUF76419D3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile7.614
HUF76419D3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.186
HUF76419P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile3.024

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