Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FJ3303010L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SSSMini3-F2-B Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile8.514
FJ3P02100L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PMCP Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Non-Standard	Disponibile3.544
FJ4B01100L1 Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 459pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: XLGA004-W-0808-RA01 Pacchetto / Custodia: 4-XFLGA, CSP	Disponibile22.362
FJ4B01110L1 Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 700mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 598µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 226pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 340mW (Ta) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ALGA004-W-0606-RA01 Pacchetto / Custodia: 4-XFLGA, CSP	Disponibile8.064
FJ4B01120L1 Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 814pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ULGA004-W-1010-RA01 Pacchetto / Custodia: 4-XFLGA, CSP	Disponibile14.874
FJ6K01010L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: WSMini6-F1-B Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile3.996
FK3303010L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SSSMini3-F2-B Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile234.954
FK3306010L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SSSMini3-F2-B Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile501.090
FK3503010L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2-B Pacchetto / Custodia: SC-85	Disponibile126.738
FK3506010L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI3 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2-B Pacchetto / Custodia: SC-85	Disponibile28.812
FK3906010L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SSMini3-F3-B Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490	Disponibile8.118
FK3P02110L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 24V 3A PMCP Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PMCP Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Non-Standard	Disponibile8.478
FK4B01100L1 Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 236µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: XLGA004-W-0808-RA01 Pacchetto / Custodia: 4-XFLGA, CSP	Disponibile13.188
FK4B01110L1 Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 118µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.55nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 274pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 340mW (Ta) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ALGA004-W-0606-RA01 Pacchetto / Custodia: 4-XFLGA, CSP	Disponibile3.528
FK4B01120L1 Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 394µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 370mW (Ta) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ULGA004-W-1010-RA01 Pacchetto / Custodia: 4-XFLGA, CSP	Disponibile3.708
FK6K02010L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4.5A WSMINI6 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: WSMini6-F1-B Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile2.322
FK8V03020L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 33V 14A WMINI8 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 33V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 2.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: WMini8-F1 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile4.122
FK8V03030L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 33V 12A WMINI8 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 33V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.73mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: WMini8-F1 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile4.194
FK8V03040L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 33V 10A WMINI8-F1 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 33V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.12mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: WMini8-F1 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile4.248
FK8V03050L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 33V 8A WMINI8-F1 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 33V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 730µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: WMini8-F1 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile5.490
FK8V03060L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 33V 6.5A WMINI8 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 33V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 0.48mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: WMini8-F1 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile8.514
FKI06051 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 69A TO-220F Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6210pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.544
FKI06075 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 52A TO-220F Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3810pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.932
FKI06108 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 39A TO-220F Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2520pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.642
FKI06190 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A TO-220F Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 19.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile3.564
FKI06269 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 24A TO-220F Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 29W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.532
FKI07076 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 55A TO-220F Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6340pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.148
FKI07117 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 42A TO-220F Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 31.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4040pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile3.600
FKI07174 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 31A TO-220F Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 22.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2520pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.700
FKI10126 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 41A TO-220F Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6420pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.856

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